Hersteller Produktnummer:
TSM2N7000KCT A3G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM2N7000KCT A3G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92
Inventar:
12892493
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Menge
Mindestens 1
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TSM2N7000KCT A3G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
60 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Basis-Produktnummer
TSM2N7000
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
TSM2N7000KCT A3GTB-DG
TSM2N7000KCT A3GCT-DG
TSM2N7000KCT A3GTB
TSM2N7000KCT A3GCT
TSM2N7000KCTA3GCT
TSM2N7000KCTA3GTB
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
2N7000TA
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
2N7000TA-DG
Einheitspreis
0.07
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